單片清洗機
單片刻蝕機
Core Technology For Single Wafer Clean
Nano-Spray技術(shù)常溫條件下,且不同的氣壓、液壓的范圍下霧滴顆粒度值在6.8-7.8um(SMD)
Nano-Spray 在確定的條件下,距離晶圓的高度不一樣,其對晶圓表面的作用力大小不一樣,最終影響到清洗的效果
晶圓在不同的轉(zhuǎn)速下,且在Nano-Spray擺動清洗整片晶圓時一樣,會造成清洗不均勻性
每一圓徑上的線速度不一樣,Nano-Spray的擺動的線速度不同
確認(rèn)好晶圓表面打擊力,同時把晶圓的轉(zhuǎn)速,Nano-Spray的轉(zhuǎn)速,針對每一個點形成一個實時動態(tài)控制的閉環(huán)回路,來實現(xiàn)晶圓所有點的清洗均勻性
單片清洗機/單片刻蝕機
全自動單片工藝設(shè)備
客制化服務(wù),提供1/2/3/4/8腔工藝設(shè)備定制
90nm單片清洗設(shè)備已經(jīng)通過工藝驗證
深入研究65至28nm制程的清洗技術(shù)
研究50-100um薄片清洗和刻蝕
研發(fā)伯努利真空吸盤,實現(xiàn)背面清洗和刻蝕
已特有的智能的動態(tài)微控清洗技術(shù)和兆聲波清洗技術(shù)
8/12晶圓單片設(shè)備為主,小尺寸的為輔
穩(wěn)定性高,可靠性好,一致性表現(xiàn)突出
優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品,有競爭力的價格和使用成本
1、晶圓在高速旋轉(zhuǎn)時,背面有一層液體膜,兆聲波通過液體膜作用于晶圓上,同時正面有液體噴在晶圓上也形成一層液體膜;
2、正面的液體對晶圓有一定的打擊力,同時兆聲波會在晶圓上形成氣穴作用,在雙重作用力的情況下對晶圓進行清洗;
3、一種情況是背面的兆聲頻率和功率是一定的,且背面有接收兆聲功率大小的傳感器,則實時改變正面噴嘴的距離;
4、一種情況是正面噴洗的距離是一定的,且有接收兆聲功率大小的傳感器,則實時控制背面的兆聲波頻率和功率;
5、建立兆聲波氣穴作用和晶圓表面打擊力的相互作用力的清洗效率,找到均衡點,從而建立控制關(guān)系;
6、采用藍(lán)寶石的兆聲頭,能夠適用于各種惡劣的環(huán)境,兆聲波間接參與清洗工藝,避免造成過大的損傷。
主要優(yōu)勢
客戶特殊需求定制化服務(wù)
與客戶合力研究新工藝
智能的動態(tài)微控清洗技術(shù)
兆聲波清洗技術(shù)
準(zhǔn)確的化學(xué)液溫度,濃度,流量等穩(wěn)定且精準(zhǔn)控制
提供多腔不同工藝的流程控制
提供多種晶圓尺寸的設(shè)備開發(fā)